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BTS3410G現(xiàn)貨庫存,原裝正品,價(jià)格美麗

發(fā)表日期:2021-09-03瀏覽:1097

BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場效應(yīng)晶體管FET,低壓側(cè)、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類型SOIC-8,來自國際品牌英飛凌(Infineon)。關(guān)于BTS3410G這個(gè)料,每天都有許多新老客戶向東沃電子DOWO詢價(jià)、現(xiàn)貨、交期等方面的問題。東沃電子自創(chuàng)辦以來,秉承“一切以客戶為中心”的經(jīng)營理念,用心服務(wù)好每一位客戶,滿足客戶的不同需求。為此,為客戶配套成為了東沃電子的日常。由于渠道優(yōu)勢,東沃電子能夠第一時(shí)間調(diào)到貨、交期迅速、原裝正品、價(jià)格美麗、現(xiàn)貨庫存,竭誠歡迎廣大客戶前來詢BTS3410G場效應(yīng)晶體管。

BTS3410G.jpg

接下來重點(diǎn)詳述BTS3410G場效應(yīng)晶體管FET的特性、參數(shù)、應(yīng)用,帶您走進(jìn)BTS3410G的“世界”!

BTS3410G場效應(yīng)管特性

邏輯電平輸入
自動(dòng)重啟熱開關(guān)
符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
過載、短路、過電壓、ESD保護(hù)
電流限制
模擬驅(qū)動(dòng)

BTS3410G場效應(yīng)管參數(shù)

Drain source voltage漏源電壓:42V
on-state resistance導(dǎo)通狀態(tài)電阻:200mΩ 
Nominal load current額定負(fù)載電流:1.3A
Clamping energy鉗位能量:150mJ
Automobile quality standard汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn):AEC-Q100
Power dissipation功耗:0.8W

BTS3410G參數(shù).jpg

BTS3410G場效應(yīng)管應(yīng)用

適用于開關(guān)或線性應(yīng)用中的各種阻性、感性和容性負(fù)載;
μC兼容電源開關(guān),適用于12V DC應(yīng)用;
取代機(jī)電繼電器和分立電路

想了解更多有關(guān)場效應(yīng)晶體管BTS3410G信息,可向?qū)I(yè)的供應(yīng)商東沃電子索取規(guī)格書,咨詢熱線:136 7581 6901(微信同號)朱經(jīng)理  

BTS3410G特性.jpg

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